肖特基二極管的反向恢復時間

肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千毫安。這些優良特性是快恢復二極管所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。

任何非同步直流/直流轉換器都需要一個所謂的肖特基二極管。為了優化方案的整體效率，通常傾向于選擇低正向電壓的肖特基二極管。

一般二極管的反向恢復時間大約是數百nS，若是高速二極管則會低于一百nS，肖特基二極管沒有反向恢復時間，因此小信號的肖特基二極管切換時間約為數十pS，特殊的大容量肖特基二極管切換時間也才數十pS。由于一般二極管在反向恢復時間內會因反向電流而造成EMI噪聲。肖特基二極管可以立即切換，沒有反向恢復時間及反相電流的問題。